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二氧化锗，UWBG赛道新黑马？

时间：2025-12-10 15:54

前言：

在全球半导体产业的激烈竞争中，功率半导体材料的进化始终是推动行业前行的关键动力。

从最初的硅（Si）到如今的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），每一次材料的革新都带来了性能的飞跃和应用的拓展。

随着科技的飞速发展和市场需求的不断变化，行业对更好材料的追求从未停歇。

近期，日本Patentix株式会社的一项突破性成果，将超宽禁带（UWBG）氧化物材料体系再次推向了前台，而二氧化锗（GeO）作为其中的佼佼者，正逐渐崭露头角，成为UWBG赛道上的新黑马。