内存行业迈向超级周期：2026年的供需格局与盈利展望

2026年，全球内存行业将迎来被野村定义为“前所未有”的三重超级周期，涵盖DRAM、NAND以及HBM三个关键产品门类，背后的逻辑并非单一因素推动，而是AI产业爆发、传统服务器需求复苏与存储体系结构演进共同作用的结果。

● 在需求端，美国科技巨头的资本开支增长速度远超市场预期，AI算力集群和数据中心建设带来对高性能、高容量内存产品的旺盛需求。

● 供给端的扩张节奏却显著滞后，三星、SK海力士与美光的主要新增产能要到2028年之后才会释放，2026-2027年内供需紧平衡的格局难以改变。

在此背景下，行业利润率将大幅修复，DRAM重回历史高位，NAND由盈亏边缘回升至健康区间，HBM虽然竞争加剧，但仍将保持高盈利特性。 

Part 1 需求端的驱动：AI算力集群与传统计算并行拉动

内存行业的景气周期往往源于需求端的强劲拉动。本轮超级周期最具代表性的特征在于，AI相关投资与传统服务器需求同时回暖，形成“双引擎”效应，且二者对不同内存品类的拉动作用呈现出互补格局。

AI算力集群成为最强劲的单一驱动力。

根据野村的预测，到2026年，美国科技巨头的整体资本开支将达到5265亿美元，同比增长30%，其中与AI服务器和基础设施相关的投资将高达3651亿美元，较2024年的1441亿美元实现翻倍以上的增长，复合增速超过80%。

这一规模不仅意味着对HBM需求的激增，也带动了DDR5、GDDR7等通用内存产品的同步放量。

AI大模型训练与推理对高带宽和高容量内存的需求极其敏感，几乎每一次模型规模扩展，都对应着HBM堆叠层数和带宽密度的提升。

例如，英伟达和AMD的新一代AI芯片将在2026年大规模采用HBM3E和HBM4，单一系统对内存的需求量成倍增加，直接带动HBM出货量的翻倍式增长。

传统服务器市场在经历2023年的下滑后，自2025年起逐步恢复增长。预计到2026年，传统服务器及相关基础设施投资将达到1614亿美元，同比增长20%。

这部分需求虽然增长幅度不及AI服务器，但在规模上依然不容忽视，尤其是在企业级计算和云服务业务的扩展中，DDR4和DDR5的采购量将显著增加，从而带动传统DRAM市场的回暖。

根据预测，传统服务器DRAM的需求将在2026年增长约50%，成为普通DRAM价格回升的重要支撑力量。

NAND市场则呈现出更加独立的驱动逻辑。

AI与传统服务器的双重增长不仅需要高带宽内存，同时也需要高容量、低成本的持久化存储。

尤其是企业级SSD，预计2026年需求将实现翻倍增长，占NAND总需求的比重将提升至40%。再叠加HDD产能紧张带来的替代效应，NAND整体bit需求至少增长50%。

这一趋势表明，NAND市场不再仅仅依赖消费级SSD和移动设备，而是进入以企业级应用为主导的新增长阶段。

AI算力集群带来的是对高性能内存（HBM、DDR5）的极度渴求，而传统服务器复苏则确保了大宗DRAM需求的稳定增长，再加上企业级SSD快速崛起，NAND迎来需求拐点，三大门类在同一时间段内形成了“共振”，这正是野村定义为三重超级周期的核心逻辑。

需求端的最大特征就是层次分明：AI投资爆发是高端产品的主要引擎，传统服务器反弹保证了普通产品的销量基盘，而NAND因HDD供给不足而获得了额外红利。

这种全方位、多层次的需求增长，为2026年的内存行业奠定了罕见的景气基础。

Part 2供给端的约束：产能释放延迟与结构性紧张

如果说需求是超级周期的火种，那么供给的受限则是点燃价格上涨与利润修复的关键导火索。

本轮周期的供给特征在于，头部厂商虽然拥有产能扩展计划，但大规模的新增有效产出要到2028年才能体现，而在2026-2027年间，供给增长远低于需求的爆发速度。

以三星为例，其在平泽园区拥有较高的产能灵活性，通过平泽4号和5号工厂的扩建，能够在需求快速上升时提供部分新增产能。但这种灵活性更多体现在短期调整，而非大幅度扩张。

三星在DRAM和NAND的产能扩充幅度预计在2026年分别为26%和29%，虽然高于行业平均，但仍不足以完全匹配需求的翻倍式增长。

值得注意的是，三星在HBM上的战略意义更为突出。其在2026年有望切入英伟达的HBM4供应链，带来额外的市场份额提升。但与此同时，三星HBM产品的良率问题与新工艺的爬坡速度，也可能成为制约其供货能力的瓶颈。

SK海力士的情况则更加受限。

其位于清州的M15x工厂将在两年内新增约9万片/月的DRAM产能，但总体基数仅为45万片/月，属于增量有限的扩充。

龙仁工厂的规模化产能贡献要等到2028年才会显现，这意味着2026-2027年间，SK海力士更多依靠现有工厂的效率优化与技术迭代来支撑出货。

在NAND方面，SK海力士凭借QLC技术在高容量SSD市场具备一定优势，但整体产能释放依然滞后。

美光同样面临类似问题。

其新建工厂的有效产能释放时间点大体在2028年，2026年能够提供的新增供给极其有限。这使得美光虽然具备产品多元化与工艺优势，但在短期的市场份额竞争中难以形成决定性突破。

供给受限直接推高了价格。

根据野村的预测，从2025年第三季度开始，普通DRAM价格将以季度环比10%以上的速度上涨，并持续到2026年。

NAND价格则在HDD短缺与SSD需求拉动下进入稳步回升通道。

库存水平也在快速下降，从2024年的4-5个月周期缩短至2025年第三季度的2-3个月，为价格上涨提供了坚实支撑。

在这种背景下，利润率的修复幅度远超市场此前预期。

◎ 普通DRAM的营业利润率预计将接近70%，重新回到2017年的历史峰值；

◎ NAND则从盈亏平衡回升至30%-40%；

◎ HBM虽然竞争加剧，三星的加入势必压缩部分利润空间，但整体利润率仍将维持在45%-65%的高位。

换言之，行业整体不仅回到健康水平，而且进入全面盈利能力修复的阶段。

供给端的最大特点是“增量有限，结构偏紧”。

头部厂商的扩产节奏决定了2026-2027年内不会出现大规模过剩，而库存水平的持续下降和价格的快速回升，将为行业利润率修复提供坚实保障。正是需求爆发与供给滞后的叠加，构成了三重超级周期得以形成的核心条件。

小结

综合需求与供给的双重视角可以看到，2026年的内存行业确实正走向一个极为特殊的周期。

AI产业的高速发展带动HBM与高性能DRAM需求爆炸式增长，传统服务器的复苏保证了大宗产品的稳定出货，而NAND则因企业级SSD崛起和HDD供给紧张而实现翻倍增长。

在供给端，三大厂商的新增产能普遍延迟至2028年后才会显现，使得2026-2027年内供需关系保持紧平衡，价格与利润率同步走高。

2026年的内存行业不仅是一次周期性回暖，而是一次多维度驱动下的超级周期，包含需求侧的广谱增长，也包含供给侧的结构性紧张，更关键的是利润率的全面修复和企业竞争力的再分配。

三星凭借产能与技术灵活性可能成为最大的受益者，SK海力士则依靠NAND和HBM保持竞争优势，美光则在后续扩产中寻找机会。 

来源：芝能智芯