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全球存储市场正掀起一场前所未有的涨价风暴。全球最大的存储芯片制造商三星电子近日宣布,旗下DRAM和NAND闪存产品价格全线上调,部分型号涨幅高达30%,犹如一颗巨石投入平静的池水,在科技产业激起层层涟漪。这场看似突如其来的涨价风波,实则是全球半导体产业链供需关系剧烈变化的集中爆发。

DRAM产品的涨价幅度尤为惊人,其中LPDDR4X、LPDDR5等移动端核心存储芯片的价格涨幅达到30%,NAND闪存的eMMC和UFS产品价格也普遍上调5%-10%。

消息人士透露,三星此番调价并非单纯的市场行为,而是多重因素共同作用的结果——既有老款产品产线逐步退出带来的产能收缩,也有云计算巨头对数据中心存储设备需求的爆炸式增长。

尤其值得注意的是,随着生成式AI技术的广泛应用,英伟达GPU集群对高速存储器的消耗量已超出市场预期,这迫使三星不得不将产能向利润更高的HBM芯片倾斜,进一步挤压了传统存储产品的供给。

这场涨价风暴的影响远不止于此。在三星宣布涨价前,业界已经有了不小的反应,美光科技紧急暂停所有存储产品报价,计划调涨20%-30%;闪迪则直接对全线消费级产品执行10%的普涨,部分汽车电子存储芯片涨幅甚至高达70%。

这些动作折射出整个存储行业的集体焦虑——在AI算力需求井喷的当下,存储厂商正面临着前所未有的两难抉择:既要保障传统消费电子市场的基本盘,又要在AI竞赛中抢占技术制高点。

在这场存储行业的变革浪潮中,中国市场扮演着举足轻重的角色。作为全球最大的电子产品制造基地,中国每年进口的存储芯片规模超过千亿美元。

三星等巨头的涨价举措,无疑将推高下游企业的生产成本,进而传导至消费端。但换个角度看,这也倒逼着国产存储企业加快技术突破的步伐。合肥长鑫、长江存储等本土厂商近年来在DRAM和NAND领域取得的进展,或许将在这个特殊的历史节点迎来新的发展机遇。

资本市场早已敏锐捕捉到行业风向的变化。三星电子股价在涨价消息公布后单日飙升4.77%,创下近一年新高,市值逼近3000亿美元大关。分析师指出,存储芯片作为数字时代的新石油,其战略价值正在被重新定义。随着HBM技术进入量产阶段,拥有先进制程能力的存储厂商将获得更高的议价权,行业集中度或将进一步提升。

在这场看似由供给短缺引发的涨价潮背后,更深刻的变革正在发生。当AI服务器的算力需求以每年翻番的速度增长,当自动驾驶汽车每天产生数TB的数据,传统的存储架构已难以满足需求。

三星等巨头押注的HBM技术,正是为了突破冯·诺依曼架构的瓶颈而生——通过将存储单元与计算单元深度融合,实现数据吞吐量的指数级提升。这种技术革新带来的不仅是产品价格的波动,更是整个存储体系的代际更替。

从更长远的视角审视,存储芯片的涨价周期往往与技术创新周期高度重合。2017年的涨价潮催生了3D NAND技术的普及,2021年的缺货危机加速了DDR5的商用进程。此次涨价风波过后,我们或将见证存算一体芯片的商业化落地,以及量子存储技术的破茧而出。对于中国科技企业而言,与其被动应对价格波动,不如主动拥抱技术变革,在存储革命的浪潮中抢占先机。

来源:电子发烧友

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