半导体静态参数都有哪些呢？你了解多少？

漏极电流（Id）

漏极电流是指在特定栅极电压（Vgs）和漏极电压（Vds）下，通过晶体管的电流。它是衡量晶体管导通能力的重要参数。

阈值电压（Vth）

阈值电压是指使晶体管开始导通的栅极电压。对于MOSFET，当Vgs达到Vth时，沟道开始形成，漏极电流开始显著增加。

导通电阻（Ron）

导通电阻是指在晶体管完全导通时，漏极和源极之间的电阻。它直接影响晶体管的功耗和效率。

跨导（gm）

跨导是指漏极电流随栅极电压变化的比率，通常表示为gm = ΔId / ΔVgs。跨导越高，晶体管的放大能力越强。

输出电导（gds）

输出电导是指漏极电流随漏极电压变化的比率，通常表示为gds = ΔId / ΔVds。它反映了晶体管输出端的电阻特性。

饱和电流（Idss）

饱和电流是指在特定栅极电压下，漏极电压增加到一定程度后，漏极电流不再显著增加的值。它通常用于描述JFET和耗尽型MOSFET的特性。

击穿电压（BV）

击穿电压是指晶体管在反向偏置下，能够承受的最大电压。超过此电压，晶体管可能会发生击穿，导致器件损坏。

漏电流（Ioff）

漏电流是指在晶体管关闭状态下，通过漏极和源极的微小电流。它是衡量晶体管关断特性的重要参数。

栅极电容（Cgs, Cgd, Cds）

栅极电容包括栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）和漏源电容（Cds）。这些电容影响晶体管的开关速度和频率响应。

体效应参数（γ）

体效应参数描述了体电压对阈值电压的影响。在MOSFET中，体效应会导致阈值电压随体电压的变化而变化。

这些参数共同决定了半导体器件在电路中的表现，是设计和优化电子电路的重要依据。

来源：电子发烧友