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  氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性[半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。

  氮化镓功率器件的特点

  1长脉宽,高占空比

  2工作频带宽,工作频率高

  3输出功率高,附加效率高

  4抗辐照能力强,环境适应性强

  氮化镓对比普通充电器有哪些优势

  1体积优势

  2功率需求

  3适配性选择

来源:电子发烧友

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